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GaN- on- silicon wafers

1-什么是硅基氮化鎵（GaN-on-silicon）？

上圖為易芯半導(dǎo)體自主研發(fā)大直徑單晶硅棒，廣泛用于半導(dǎo)體拋光硅片以及刻蝕機(jī)用硅部件領(lǐng)域。

氮化鎵(GaN)是一種堅(jiān)硬，且機(jī)械穩(wěn)定的寬帶隙的半導(dǎo)體。基于氮化鎵的功率器件具有更高的擊穿強(qiáng)度,更快的開關(guān)速度,更高的熱導(dǎo)率和更低的導(dǎo)通電阻,其性能明顯優(yōu)于硅基器件。

氮化鎵晶體可以在各種的基板上生長,包括藍(lán)寶石,碳化硅(SiC)和硅(Si)。在硅上面生長氮化鎵的外延層,可以使用現(xiàn)有的硅制造基礎(chǔ)設(shè)施,從而消除了對高昂的特定的生產(chǎn)場所的需求,并以低成本利用現(xiàn)成的大直徑硅晶片。

GaN on Silicon技術(shù)將氮化鎵（GaN）的高效能與硅（Si）的廣泛應(yīng)用和成熟制造技術(shù)相結(jié)合，為電力電子和射頻應(yīng)用提供了高性能的解決方案。

2- 氮化鎵的應(yīng)用和市場前景怎么樣？

隨著5G通信、電動汽車和可再生能源等領(lǐng)域的快速發(fā)展，GaN on Silicon技術(shù)市場預(yù)計(jì)將持續(xù)增長。

3-易芯對氮化鎵襯底的銷售過程？

易芯經(jīng)過前期送樣以及和客戶對接，目前已成功進(jìn)入英國P ***公司氮化鎵襯底合格供應(yīng)商目錄。

簡要參數(shù)如下圖，任何需求可直接聯(lián)系易芯銷售部門。

CZ Si

Orientation: <111>

Diameter: 6” and 8" and 12"

Type: P

Resistivity: 0.005-0.02 Ohm.cm

Thickness: 1000/1150um